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用TH1992快速測試半導體器件I/V特性

更新時(shí)間:2023-05-24      點(diǎn)擊次數:494

研究背景:電子測量?jì)x器作為基礎科研工具,是國家科研自主可控的重要環(huán)節。在半導體器件、超導材料和光電器件等測試領(lǐng)域中,為了更全面地檢測器件特性,提升整個(gè)測試系統的效率,往往對供給電源和測量同步性方面有更嚴苛的要求。


圖片11.jpg


TH1991/TH1992系列精密源/測量單元可輸出高達±210V直流電壓、±3A直流電流以及±10.5A脈沖電流、最小10fA/100nV的電源和測量分辨率,支持高速采樣,可生成任意波形。

TH1992為雙通道版本,相較于單通道版本,TH1992支持雙通道同步輸出及測量,對于3端器件的測試更友好,可極大提升測試效率。

一、二極管I/V特性

晶體二極管也稱(chēng)為半導體二極管,簡(jiǎn)稱(chēng)二極管(Diode)。內部由一塊P型半導體和N型半導體經(jīng)特殊工藝加工,在其接觸面上形成一個(gè)PN結。外部有兩個(gè)電極,分別稱(chēng)為正極(P型區一側)和負極(N型區一側),使用時(shí)不能將正負極接反。


圖片12.jpg

圖片13.jpg



因此,二極管具有單向導電性,可用于整流、檢波、穩壓等電路中。用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、進(jìn)行能量轉換等。


衡量二極管特性和核心是二極管的伏安特性曲線(xiàn)(簡(jiǎn)稱(chēng)I/V特性)

二極管分硅管和鍺管


圖片15.jpg


材料類(lèi)型

死區電壓

正向導通電壓

Si

0.5V

0.6-0.8V

鍺(Ge

0.1V

0.2-0.3V

如何測試二極管的I/V特性?以常見(jiàn)的1N4148保護二極管為例



TH199X方案VS傳統方案,區別在哪兒?


圖片17.png


連接好之后,操作更簡(jiǎn)單

只需8步,可以將二極管正反向IV曲線(xiàn)全部測出,全程觸摸屏操作,無(wú)需連接電腦上位機,曲線(xiàn)可直接截屏及生成csv表格,快捷簡(jiǎn)單。

因此,使用TH199X系列精密源/測量單元(SMU)測試更精確、更快捷,適合從產(chǎn)線(xiàn)到實(shí)驗室各種場(chǎng)合。


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